IVE国际高新资格认证-电子电路基础设计初级(1门)试卷

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电子电路基础设计

1：单选(2.5分) 将以下与或表达式

变换成与非-与非表达式，正确的结果是（　　　）。
A

*Kho0at*sE;1PC8eR
B

[g((b1=KN9
C

I=oHhnTC351qna?[
D

cxlK+)7F0S*7f
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2：单选(2.5分) 欲使JK触发器按Qn+1=Qn工作，可使JK触发器的输入端为（　　　）。
      A J=K=0Ne,+^?L5x^k
      B J=0，K=1C;rI:I0dHs':
      C J=1，K=0S-CJ^e_)=cT8
      D J=K=1POj&)=Bwr=-R
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3：单选(2.5分) 用CMOS或非门构成的微分型单稳态触发器如下图所示，输出脉冲宽度Tw为（　　）。

      A 1.1RC)WvEw6
      B 0.7RCw*UPZm=Xm%HCE0$q
      C 0.9RCmL5@GKGOe+hhva]
      D 1.4RCBF'w(vaDw,r%Q
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4：单选(2.5分) 用两片74LS138的8位输出通过级联实现4/16线译码的16位输出时，低位芯片的

和

应接至（　　　）。
A

$AlTe=
B

]cc[q/U1D^4k)
C

vImq,n+mFj
D

&4Qk&:F5*bK#&)
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5：单选(2.5分) 欲使JK触发器按

工作，P可使JK触发器的输入端为（　　　）。t
      A J=K=0u7p:Aoap
      B J=0，K=1uK$,%CwMKWx]RfLJ
      C J=1，K=0Z7?e*2h^QHW
      D J=K=1J(dU,B?e1YE
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6：单选(2.5分) 二进制数(0.1101)2转换为等值的十进制数为（　　　）。
      A (0.875)10?UQt`My=YoY
      B (0.8125)108h_gmTk;o1:K
      C (0.625)109]R9'':\@yG_&a
      D (0.5)10u@oU7nFntF-rNq?
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7：单选(2.5分) 用4选1数据选择器实现逻辑函数

，数据输入端的接法是（　　　）。
      A D0=0,D1=D2=C,D3=1FT@`=FR:?
      B D0=D3=0,D1=D2=CF]?#3E79ifb3#?g4
      C D0=D3=1,D1=D2=Cg.-4@Q(=
      D D0=1,D1=D2=C,D3=0ebRFN'-/)2
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8：单选(2.5分) 用555定时器组成的触摸式控制开关的电路如下图所示。当用手触摸按钮时，灯能亮的时间为（　　　）。

      A 15.4s)WvEw6
      B 22sw*UPZm=Xm%HCE0$q
      C 24.2smL5@GKGOe+hhva]
      D 30.8sBF'w(vaDw,r%Q
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9：单选(2.5分) 空间电荷区是由( )构成的。
      A 电子$AlTe=
      B 空穴]cc[q/U1D^4k)
      C 离子vImq,n+mFj
      D 质子&4Qk&:F5*bK#&)
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10：单选(2.5分)

各电路中，（　　　）可以产生脉冲定时。
      A 多谐振荡器t_0vap5+L3dJ
      B 单稳态触发器uTzHsC\Luzq
      C 施密特触发器:?9pU&KGg4i/]Xa:t
      D 石英晶体多谐振荡器w?`C?AR6oY3/
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11：单选(2.5分) 如下图所示，利用两片集成计数器74LS161级联后的计数器为（　　）进制的计数器。

      A 64[p&DX1yIx\yAr5NJm
      B 88rvJ#?r?BSSJ
      C 89eYS+X'H1WgK_FQ#
      D 136V[uSE6?54g*u4HET#
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12：单选(2.5分) 为使采样输出信号不失真地代表输入模拟信号，采样频率fs和输入模拟信号的最高频率fimax的关系是（　　　）。
      A fs≥fimaxwyV5dm
      B fs≤fimaxqxX66G3zXADcd7
      C fs≥2fimaxPOj&)=Bwr=-R
      D fs≤2fimax)WvEw6
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13：单选(2.5分) PN结的最大特点是( )。
      A 存在自由电子和空穴两种离子w*UPZm=Xm%HCE0$q
      B 正向导通，反向截止mL5@GKGOe+hhva]
      C 正向截止，反向导通BF'w(vaDw,r%Q
      D 由P型半导体和N型半导体构成$AlTe=
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14：单选(2.5分) 8位移位寄存器，串行输入时经（　　）个脉冲后，8位数码全部移入寄存器中。
      A 1]cc[q/U1D^4k)
      B 2vImq,n+mFj
      C 4&4Qk&:F5*bK#&)
      D 8t_0vap5+L3dJ
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15：单选(2.5分)

制译码器充当组合逻辑函数发生器时，若译码器输出低电平有效，需用（　　　）和译码器配合。
      A 或门uTzHsC\Luzq
      B 与非门:?9pU&KGg4i/]Xa:t
      C 非门w?`C?AR6oY3/
      D 或非门[p&DX1yIx\yAr5NJm
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16：单选(2.5分) 用555定时器组成的电子门铃如下图所示。当按下按钮开关S时，电子门铃以1 kHz的频率响10s，555（1）是（　　　）电路。

      A 多谐振荡器rvJ#?r?BSSJ
      B 单稳态触发器eYS+X'H1WgK_FQ#
      C 施密特触发器V[uSE6?54g*u4HET#
      D JK触发器wyV5dm
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17：单选(2.5分) 由CMOS与非门及反相器构成的微分型单稳态触发器如下图所示，其输出脉宽Two 为（　　）。

      A 0.714msqxX66G3zXADcd7
      B 0.51msPOj&)=Bwr=-R
      C 0.357ms)WvEw6
      D 0.561msw*UPZm=Xm%HCE0$q
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18：单选(2.5分) 函数F的卡诺图如下图所示，则其表达式可写为（　　　）。

mL5@GKGOe+hhva]
B

BF'w(vaDw,r%Q
C

$AlTe=
D

]cc[q/U1D^4k)
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19：单选(2.5分) 以下表达式中符合逻辑运算法则的是（　　　　）。
      A C·C=C2vImq,n+mFj
      B 1+1=10&4Qk&:F5*bK#&)
      C 0<1t_0vap5+L3dJ
      D A+1=1uTzHsC\Luzq
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20：单选(2.5分) 等于(36.7)10的8421BCD编码是（　　　）。
      A (0110110.101)8421BCD:?9pU&KGg4i/]Xa:t
      B (0011110.1110) 8421BCDw?`C?AR6oY3/
      C (00110110.0111) 8421BCD[p&DX1yIx\yAr5NJm
      D (110110.111) 8421BCDrvJ#?r?BSSJ
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21：多选(3分) PN结中扩散电流的方向是( )，漂移电流的方向是( )。
      A 从P区到N区eYS+X'H1WgK_FQ#
      B 只在N区V[uSE6?54g*u4HET#
      C 从N区到P区wyV5dm
      D 只在P区qxX66G3zXADcd7
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22：多选(3分)

半导体中的少数载流子是( )，N型半导体中的少数载流子是( )。
      A 自由电子POj&)=Bwr=-R
      B 空穴)WvEw6
      C 中子w*UPZm=Xm%HCE0$q
      D 质子mL5@GKGOe+hhva]
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23：多选(3分) 逻辑变量的取值１和０可以表示（　　　）。
      A 开关的闭合、断开BF'w(vaDw,r%Q
      B 电位的高、低$AlTe=
      C 真与假]cc[q/U1D^4k)
      D 电流的有、无vImq,n+mFj
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24：多选(3分) TTL电路在正逻辑系统中，以下各种输入(　　　）相当于输入逻辑“1”。
      A 悬空&4Qk&:F5*bK#&)
      B 通过电阻2.7kΩ接电源t_0vap5+L3dJ
      C 通过电阻2.7kΩ接地uTzHsC\Luzq
      D 通过电阻510Ω接地:?9pU&KGg4i/]Xa:t
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25：多选(3分) 下列集成计数器中属于十进制计数器的有（　　）。
      A 74LS160w?`C?AR6oY3/
      B 74LS161[p&DX1yIx\yAr5NJm
      C 74LS162rvJ#?r?BSSJ
      D 74LS163eYS+X'H1WgK_FQ#
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26：多选(3分) 金属导体中的载流子是( )；半导体中的载流子是( )。
      A 自由电子V[uSE6?54g*u4HET#
      B 空穴wyV5dm
      C 离子qxX66G3zXADcd7
      D 自由电子和空穴POj&)=Bwr=-R
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27：多选(3分) 在杂质半导体中，少数载流子的浓度与( )有很大关系,而多数载流子的浓度则主要取决于( )。
      A 温度)WvEw6
      B 掺杂工艺w*UPZm=Xm%HCE0$q
      C 杂质浓度mL5@GKGOe+hhva]
      D 杂质类型BF'w(vaDw,r%Q
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28：多选(3分) 常用的代数化简方法有（　　　　）。
      A 并项法$AlTe=
      B 吸收法]cc[q/U1D^4k)
      C 消去法vImq,n+mFj
      D 配项法&4Qk&:F5*bK#&)
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29：多选(3分) 在本征半导体中掺入微量的( )价元素，形成P型半导体；掺入微量的( )价元素，形成N型半导体。
      A 二t_0vap5+L3dJ
      B 三uTzHsC\Luzq
      C 四:?9pU&KGg4i/]Xa:t
      D 五w?`C?AR6oY3/
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30：多选(3分) 下列各式中属于反演律(摩根定律)的公式是（　　）。
A

[p&DX1yIx\yAr5NJm
B

rvJ#?r?BSSJ
C

eYS+X'H1WgK_FQ#
D

V[uSE6?54g*u4HET#
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31：判断(2分) 在P型半导体中，掺入高浓度的五价杂质可以改型为N型半导体。
      A 正确wyV5dm
      B 错误qxX66G3zXADcd7
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32：判断(2分)

结可以看作一个电容，空间电荷区相当于介质，P区和N区则为导体。
      A 正确POj&)=Bwr=-R
      B 错误)WvEw6
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33：判断(2分) 逻辑电平0和1不表示具体的数量而是一种逻辑值。（　　　）
      A 正确w*UPZm=Xm%HCE0$q
      B 错误mL5@GKGOe+hhva]
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34：判断(2分) 触发器次态

与R、S及现态

之间关系的逻辑表达式称为触发器的特性方程。（　　　）
      A 正确BF'w(vaDw,r%Q
      B 错误$AlTe=
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35：判断(2分) 因为A＋AB＝A，故若两边同时减A，可得出AB=0。（　　　）
      A 正确]cc[q/U1D^4k)
      B 错误vImq,n+mFj
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36：判断(2分) 用2片容量为16K×8的RAM构成容量为32K×8的RAM是位扩展。（　　　）
      A 正确&4Qk&:F5*bK#&)
      B 错误t_0vap5+L3dJ
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37：判断(2分) 集成移位寄存器74LS175在CP=1期间具有数据保持功能。（　　）
      A 正确uTzHsC\Luzq
      B 错误:?9pU&KGg4i/]Xa:t
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38：判断(2分) 凡是卡诺图中存在相切而不相链（相交）的包围圈（方格群）的逻辑函数都存在着竞争-冒险现象。（　　）
      A 正确w?`C?AR6oY3/
      B 错误[p&DX1yIx\yAr5NJm
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39：判断(2分) 在达到动态平衡的PN结内，漂移运动和扩散运动都不再进行。
      A 正确rvJ#?r?BSSJ
      B 错误eYS+X'H1WgK_FQ#
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40：判断(2分)

制数9比十六进制数9小。（　　　）
      A 正确V[uSE6?54g*u4HET#
      B 错误wyV5dm
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