IVE国际高新资格认证-电子电路基础设计初级(1门)试卷

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电子电路基础设计

1：单选(2.5分) 将以下与或表达式

变换成与非-与非表达式，正确的结果是（　　　）。
A

L3_t#Q+a
B

oa.z5YqJq`
C

hN4Ds4+n2XS`;]
D

/6=Y]A&0w%PGA[[L2
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2：单选(2.5分) 欲使JK触发器按Qn+1=Qn工作，可使JK触发器的输入端为（　　　）。
      A J=K=0DI#z*-iA/sgT8QB
      B J=0，K=15KEJo=`DdrGj'HdB$
      C J=1，K=0Vi&,6rxis
      D J=K=1um9OQTo`32MdZCX
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3：单选(2.5分) 用CMOS或非门构成的微分型单稳态触发器如下图所示，输出脉冲宽度Tw为（　　）。

      A 1.1RCfp[w?cfdh2,zI:
      B 0.7RClzW:b0oA%n/Z*3v+
      C 0.9RCHtGpq)Ulz1CO&(f?l
      D 1.4RCO$4xDyjh1(LEs
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4：单选(2.5分) 用两片74LS138的8位输出通过级联实现4/16线译码的16位输出时，低位芯片的

和

应接至（　　　）。
A

)x3hKG
B

vk*=X'#'.
C

[:;g,Aq[`7MGykZH
D

Z=Jz$oe
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5：单选(2.5分) 欲使JK触发器按

工作，G可使JK触发器的输入端为（　　　）。W
      A J=K=0vNx/'R
      B J=0，K=1YPUl`C#rgX3v*Tu
      C J=1，K=0f\O-Z6P.g
      D J=K=1RZeDyK/rSOs*f
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6：单选(2.5分) 二进制数(0.1101)2转换为等值的十进制数为（　　　）。
      A (0.875)106I77vgld^-L(:t
      B (0.8125)10s,ST.Vxv:S3;c,
      C (0.625)1082t2BebMXdfQ
      D (0.5)10td:4[T1aagTbB#YOB
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7：单选(2.5分) 用4选1数据选择器实现逻辑函数

，数据输入端的接法是（　　　）。
      A D0=0,D1=D2=C,D3=13j^kA=OZ=_%BHQ
      B D0=D3=0,D1=D2=CXpn53Ej/@DiNK
      C D0=D3=1,D1=D2=CgdNIP65,9y97DFm4
      D D0=1,D1=D2=C,D3=0yJ[a5P@1P
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8：单选(2.5分) 用555定时器组成的触摸式控制开关的电路如下图所示。当用手触摸按钮时，灯能亮的时间为（　　　）。

      A 15.4sWr%H+r]hE1d871D_
      B 22sm*VVX0T?O9(
      C 24.2s4_Q=SivzeN2WC
      D 30.8spM#0Q-[lp,cUpa
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9：单选(2.5分) 空间电荷区是由( )构成的。
      A 电子uv8kGTT^]U
      B 空穴-`bQvpF$'zzb
      C 离子Z=Jz$oe
      D 质子W##cyrCfoT
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10：单选(2.5分)

各电路中，（　　　）可以产生脉冲定时。
      A 多谐振荡器FvU+iVIL
      B 单稳态触发器$c)w9M
      C 施密特触发器spHbJ)
      D 石英晶体多谐振荡器XSd'YpoRlE
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11：单选(2.5分) 如下图所示，利用两片集成计数器74LS161级联后的计数器为（　　）进制的计数器。

      A 64G'TF_V.KQA6:+ts
      B 88S2N`YI[_Q
      C 89y6OoQ#*SO86sD
      D 136[1=K6B4]6
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12：单选(2.5分) 为使采样输出信号不失真地代表输入模拟信号，采样频率fs和输入模拟信号的最高频率fimax的关系是（　　　）。
      A fs≥fimaxe,gjz8$Aie
      B fs≤fimax5KEJo=`DdrGj'HdB$
      C fs≥2fimaxVi&,6rxis
      D fs≤2fimaxum9OQTo`32MdZCX
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13：单选(2.5分) PN结的最大特点是( )。
      A 存在自由电子和空穴两种离子fp[w?cfdh2,zI:
      B 正向导通，反向截止lzW:b0oA%n/Z*3v+
      C 正向截止，反向导通HtGpq)Ulz1CO&(f?l
      D 由P型半导体和N型半导体构成O$4xDyjh1(LEs
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14：单选(2.5分) 8位移位寄存器，串行输入时经（　　）个脉冲后，8位数码全部移入寄存器中。
      A 1)x3hKG
      B 2vk*=X'#'.
      C 4[:;g,Aq[`7MGykZH
      D 8Z=Jz$oe
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15：单选(2.5分)

制译码器充当组合逻辑函数发生器时，若译码器输出低电平有效，需用（　　　）和译码器配合。
      A 或门W##cyrCfoT
      B 与非门FvU+iVIL
      C 非门$c)w9M
      D 或非门spHbJ)
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16：单选(2.5分) 用555定时器组成的电子门铃如下图所示。当按下按钮开关S时，电子门铃以1 kHz的频率响10s，555（1）是（　　　）电路。

      A 多谐振荡器XSd'YpoRlE
      B 单稳态触发器G'TF_V.KQA6:+ts
      C 施密特触发器S2N`YI[_Q
      D JK触发器y6OoQ#*SO86sD
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17：单选(2.5分) 由CMOS与非门及反相器构成的微分型单稳态触发器如下图所示，其输出脉宽Two 为（　　）。

      A 0.714ms[1=K6B4]6
      B 0.51mse,gjz8$Aie
      C 0.357ms5KEJo=`DdrGj'HdB$
      D 0.561msVi&,6rxis
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18：单选(2.5分) 函数F的卡诺图如下图所示，则其表达式可写为（　　　）。

um9OQTo`32MdZCX
B

fp[w?cfdh2,zI:
C

lzW:b0oA%n/Z*3v+
D

HtGpq)Ulz1CO&(f?l
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19：单选(2.5分) 以下表达式中符合逻辑运算法则的是（　　　　）。
      A C·C=C2O$4xDyjh1(LEs
      B 1+1=10)x3hKG
      C 0<1vk*=X'#'.
      D A+1=1[:;g,Aq[`7MGykZH
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20：单选(2.5分) 等于(36.7)10的8421BCD编码是（　　　）。
      A (0110110.101)8421BCDZ=Jz$oe
      B (0011110.1110) 8421BCDW##cyrCfoT
      C (00110110.0111) 8421BCDFvU+iVIL
      D (110110.111) 8421BCD$c)w9M
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21：多选(3分) PN结中扩散电流的方向是( )，漂移电流的方向是( )。
      A 从P区到N区spHbJ)
      B 只在N区XSd'YpoRlE
      C 从N区到P区G'TF_V.KQA6:+ts
      D 只在P区S2N`YI[_Q
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22：多选(3分)

半导体中的少数载流子是( )，N型半导体中的少数载流子是( )。
      A 自由电子y6OoQ#*SO86sD
      B 空穴[1=K6B4]6
      C 中子e,gjz8$Aie
      D 质子5KEJo=`DdrGj'HdB$
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23：多选(3分) 逻辑变量的取值１和０可以表示（　　　）。
      A 开关的闭合、断开Vi&,6rxis
      B 电位的高、低um9OQTo`32MdZCX
      C 真与假fp[w?cfdh2,zI:
      D 电流的有、无lzW:b0oA%n/Z*3v+
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24：多选(3分) TTL电路在正逻辑系统中，以下各种输入(　　　）相当于输入逻辑“1”。
      A 悬空HtGpq)Ulz1CO&(f?l
      B 通过电阻2.7kΩ接电源O$4xDyjh1(LEs
      C 通过电阻2.7kΩ接地)x3hKG
      D 通过电阻510Ω接地vk*=X'#'.
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25：多选(3分) 下列集成计数器中属于十进制计数器的有（　　）。
      A 74LS160[:;g,Aq[`7MGykZH
      B 74LS161Z=Jz$oe
      C 74LS162W##cyrCfoT
      D 74LS163FvU+iVIL
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26：多选(3分) 金属导体中的载流子是( )；半导体中的载流子是( )。
      A 自由电子$c)w9M
      B 空穴spHbJ)
      C 离子XSd'YpoRlE
      D 自由电子和空穴G'TF_V.KQA6:+ts
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27：多选(3分) 在杂质半导体中，少数载流子的浓度与( )有很大关系,而多数载流子的浓度则主要取决于( )。
      A 温度S2N`YI[_Q
      B 掺杂工艺y6OoQ#*SO86sD
      C 杂质浓度[1=K6B4]6
      D 杂质类型e,gjz8$Aie
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28：多选(3分) 常用的代数化简方法有（　　　　）。
      A 并项法5KEJo=`DdrGj'HdB$
      B 吸收法Vi&,6rxis
      C 消去法um9OQTo`32MdZCX
      D 配项法fp[w?cfdh2,zI:
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29：多选(3分) 在本征半导体中掺入微量的( )价元素，形成P型半导体；掺入微量的( )价元素，形成N型半导体。
      A 二lzW:b0oA%n/Z*3v+
      B 三HtGpq)Ulz1CO&(f?l
      C 四O$4xDyjh1(LEs
      D 五)x3hKG
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30：多选(3分) 下列各式中属于反演律(摩根定律)的公式是（　　）。
A

vk*=X'#'.
B

[:;g,Aq[`7MGykZH
C

Z=Jz$oe
D

W##cyrCfoT
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31：判断(2分) 在P型半导体中，掺入高浓度的五价杂质可以改型为N型半导体。
      A 正确FvU+iVIL
      B 错误$c)w9M
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32：判断(2分)

结可以看作一个电容，空间电荷区相当于介质，P区和N区则为导体。
      A 正确spHbJ)
      B 错误XSd'YpoRlE
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33：判断(2分) 逻辑电平0和1不表示具体的数量而是一种逻辑值。（　　　）
      A 正确G'TF_V.KQA6:+ts
      B 错误S2N`YI[_Q
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34：判断(2分) 触发器次态

与R、S及现态

之间关系的逻辑表达式称为触发器的特性方程。（　　　）
      A 正确y6OoQ#*SO86sD
      B 错误[1=K6B4]6
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35：判断(2分) 因为A＋AB＝A，故若两边同时减A，可得出AB=0。（　　　）
      A 正确e,gjz8$Aie
      B 错误5KEJo=`DdrGj'HdB$
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36：判断(2分) 用2片容量为16K×8的RAM构成容量为32K×8的RAM是位扩展。（　　　）
      A 正确Vi&,6rxis
      B 错误um9OQTo`32MdZCX
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37：判断(2分) 集成移位寄存器74LS175在CP=1期间具有数据保持功能。（　　）
      A 正确fp[w?cfdh2,zI:
      B 错误lzW:b0oA%n/Z*3v+
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38：判断(2分) 凡是卡诺图中存在相切而不相链（相交）的包围圈（方格群）的逻辑函数都存在着竞争-冒险现象。（　　）
      A 正确HtGpq)Ulz1CO&(f?l
      B 错误O$4xDyjh1(LEs
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39：判断(2分) 在达到动态平衡的PN结内，漂移运动和扩散运动都不再进行。
      A 正确)x3hKG
      B 错误vk*=X'#'.
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40：判断(2分)

制数9比十六进制数9小。（　　　）
      A 正确[:;g,Aq[`7MGykZH
      B 错误Z=Jz$oe
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