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IVE国际高新资格认证-电子电路基础设计初级(1门)试卷
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总分:
100分
答题时间:
60分钟
开卷日期:2026/6/21 6:04:53
点击率:20463
电子电路基础设计
1:
单选(2.5分
M
) 将以下与或表达式
变换成与非-与非表达式,
q
正确的结果是( )。
ex
A
aM?f1hawn2GOH&
B
Oh2OKNVrV
C
,ij5Wq-cx8q2Trf
D
9tdOPd[ww6'IVD_EC
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M
M
答案:
Ns
A
))
2:
单选(2.5分
@
) 欲使JK触发器按Qn+1=Qn工作,
h
可使JK触发器的输入端为( )。
&S
A J=K=0
K=gY\RjGc)
B J=0,K=1
YER_]pL#^:
C J=1,K=0
HrB&cUcsC6H3hN=
D J=K=1
U%;?]H8/B
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@
@
答案:
ZW
A
0(
3:
单选(2.5分
J
) 用CMOS或非门构成的微分型单稳态触发器如下图所示,
T
输出脉冲宽度Tw为( )。
LN
A 1.1RC
9%bjFd@uIYxJ
B 0.7RC
vW(k`Sg1S\e['U$+=
C 0.9RC
5\LKF=,*.T7;-+
D 1.4RC
Yb\m7DGW19#G0
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J
J
答案:
pB
B
IL
4:
单选(2.5分
U
) 用两片74LS138的8位输出通过级联实现4/16线译码的16位输出时,
n
低位芯片的
和
应接至( )。
U.
A
^eh&^?_
B
=P.`5`,H=oTE];
C
RFcs(ws$x
D
'HTnVJro\20#k9
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U
U
答案:
\8
D
P\
5:
单选(2.5分
?
) 欲使JK触发器按
=
工作,
:
可使JK触发器的输入端为( )。
Z:
A J=K=0
,`kraqHdNmy1=Rg?F
B J=0,K=1
w]pt]&XOx
C J=1,K=0
],)G0AN+R,^@^D%$a
D J=K=1
N8J3kO*.YO7Xe
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?
?
答案:
Vr
D
MW
6:
单选(2.5分
F
) 二进制数(0.1101)2转换为等值的十进制数为( )。
Hi
A (0.875)10
ut3y9(be&[J
B (0.8125)10
ub5BN(
C (0.625)10
YER_]pL#^:
D (0.5)10
HrB&cUcsC6H3hN=
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F
F
答案:
=R
B
BV
7:
单选(2.5分
M
) 用4选1数据选择器实现逻辑函数
,
t
数据输入端的接法是( )。
DF
A D0=0,D1=D2=C,D3=1
Op1jAN;q(cX(DR-v
B D0=D3=0,D1=D2=C
KYqf6&e$7(grr
C D0=D3=1,D1=D2=C
ROa7vwX#J1'f7u]E
D D0=1,D1=D2=C,D3=0
^ngBT?DmKcxiU[
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M
M
答案:
rH
A
KY
8:
单选(2.5分
P
) 用555定时器组成的触摸式控制开关的电路如下图所示。
L1
当用手触摸按钮时,
?
灯能亮的时间为( )。
L1
A 15.4s
iL/Rf`9uS^XD%+*
B 22s
z=IA:OuYB
C 24.2s
Xdk(0q;87&u1tbf;
D 30.8s
nuC5\01gA/:
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P
P
答案:
\8
C
P\
9:
单选(2.5分
?
) 空间电荷区是由( )构成的。
Z:
A 电子
,`kraqHdNmy1=Rg?F
B 空穴
w]pt]&XOx
C 离子
],)G0AN+R,^@^D%$a
D 质子
N8J3kO*.YO7Xe
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?
?
答案:
Vr
C
MW
10:
单选(2.5分
F
) 以下各电路中,
8
( )可以产生脉冲定时。
Hi
A 多谐振荡器
ut3y9(be&[J
B 单稳态触发器
ub5BN(
C 施密特触发器
YER_]pL#^:
D 石英晶体多谐振荡器
HrB&cUcsC6H3hN=
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F
F
答案:
=R
B
BV
11:
单选(2.5分
M
) 如下图所示,
t
利用两片集成计数器74LS161级联后的计数器为( )进制的计数器。
DF
A 64
Op1jAN;q(cX(DR-v
B 88
KYqf6&e$7(grr
C 89
ROa7vwX#J1'f7u]E
D 136
^ngBT?DmKcxiU[
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M
M
答案:
rH
D
KY
12:
单选(2.5分
P
) 为使采样输出信号不失真地代表输入模拟信号,
?
采样频率fs和输入模拟信号的最高频率fimax的关系是( )。
L1
A fs≥fimax
iL/Rf`9uS^XD%+*
B fs≤fimax
z=IA:OuYB
C fs≥2fimax
Xdk(0q;87&u1tbf;
D fs≤2fimax
nuC5\01gA/:
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P
P
答案:
\8
C
P\
13:
单选(2.5分
?
) PN结的最大特点是( )。
Z:
A 存在自由电子和空穴两种离子
,`kraqHdNmy1=Rg?F
B 正向导通,反向截止
w]pt]&XOx
C 正向截止,反向导通
],)G0AN+R,^@^D%$a
D 由P型半导体和N型半导体构成
N8J3kO*.YO7Xe
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?
?
答案:
Vr
B
MW
14:
单选(2.5分
F
) 8位移位寄存器,
8
串行输入时经( )个脉冲后,
8
8位数码全部移入寄存器中。
Hi
A 1
ut3y9(be&[J
B 2
ub5BN(
C 4
YER_]pL#^:
D 8
HrB&cUcsC6H3hN=
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F
F
答案:
=R
D
BV
15:
单选(2.5分
M
) 二进制译码器充当组合逻辑函数发生器时,
t
若译码器输出低电平有效,
t
需用( )和译码器配合。
DF
A 或门
Op1jAN;q(cX(DR-v
B 与非门
KYqf6&e$7(grr
C 非门
ROa7vwX#J1'f7u]E
D 或非门
^ngBT?DmKcxiU[
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M
M
答案:
rH
B
KY
16:
单选(2.5分
P
) 用555定时器组成的电子门铃如下图所示。
L1
当按下按钮开关S时,
?
电子门铃以1 kHz的频率响10s,
?
555(1)是( )电路。
L1
A 多谐振荡器
iL/Rf`9uS^XD%+*
B 单稳态触发器
z=IA:OuYB
C 施密特触发器
Xdk(0q;87&u1tbf;
D JK触发器
nuC5\01gA/:
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P
P
答案:
\8
B
P\
17:
单选(2.5分
?
) 由CMOS与非门及反相器构成的微分型单稳态触发器如下图所示,
:
其输出脉宽Two 为( )。
Z:
A 0.714ms
,`kraqHdNmy1=Rg?F
B 0.51ms
w]pt]&XOx
C 0.357ms
],)G0AN+R,^@^D%$a
D 0.561ms
N8J3kO*.YO7Xe
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?
?
答案:
Vr
C
MW
18:
单选(2.5分
F
) 函数F的卡诺图如下图所示,
8
则其表达式可写为( )。
Hi
A
ut3y9(be&[J
B
ub5BN(
C
YER_]pL#^:
D
HrB&cUcsC6H3hN=
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F
F
答案:
=R
A
BV
19:
单选(2.5分
M
) 以下表达式中符合逻辑运算法则的是( )。
DF
A C·C=C2
Op1jAN;q(cX(DR-v
B 1+1=10
KYqf6&e$7(grr
C 0<1
ROa7vwX#J1'f7u]E
D A+1=1
^ngBT?DmKcxiU[
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M
M
答案:
rH
D
KY
20:
单选(2.5分
P
) 等于(36.7)10的8421BCD编码是( )。
L1
A (0110110.101)8421BCD
iL/Rf`9uS^XD%+*
B (0011110.1110) 8421BCD
z=IA:OuYB
C (00110110.0111) 8421BCD
Xdk(0q;87&u1tbf;
D (110110.111) 8421BCD
nuC5\01gA/:
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P
P
答案:
\8
C
P\
21:
多选(3分
?
) PN结中扩散电流的方向是( ),
:
漂移电流的方向是( )。
Z:
A 从P区到N区
,`kraqHdNmy1=Rg?F
B 只在N区
w]pt]&XOx
C 从N区到P区
],)G0AN+R,^@^D%$a
D 只在P区
N8J3kO*.YO7Xe
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?
?
答案:
Vr
AC
MW
22:
多选(3分
F
) P型半导体中的少数载流子是( ),
8
N型半导体中的少数载流子是( )。
Hi
A 自由电子
ut3y9(be&[J
B 空穴
ub5BN(
C 中子
YER_]pL#^:
D 质子
HrB&cUcsC6H3hN=
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F
F
答案:
=R
AB
BV
23:
多选(3分
M
) 逻辑变量的取值1和0可以表示( )。
DF
A 开关的闭合、断开
Op1jAN;q(cX(DR-v
B 电位的高、低
KYqf6&e$7(grr
C 真与假
ROa7vwX#J1'f7u]E
D 电流的有、无
^ngBT?DmKcxiU[
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M
M
答案:
rH
ABCD
KY
24:
多选(3分
P
) TTL电路在正逻辑系统中,
?
以下各种输入( )相当于输入逻辑“1”。
L1
A 悬空
iL/Rf`9uS^XD%+*
B 通过电阻2.7kΩ接电源
z=IA:OuYB
C 通过电阻2.7kΩ接地
Xdk(0q;87&u1tbf;
D 通过电阻510Ω接地
nuC5\01gA/:
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P
P
答案:
\8
ABC
P\
25:
多选(3分
?
) 下列集成计数器中属于十进制计数器的有( )。
Z:
A 74LS160
,`kraqHdNmy1=Rg?F
B 74LS161
w]pt]&XOx
C 74LS162
],)G0AN+R,^@^D%$a
D 74LS163
N8J3kO*.YO7Xe
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?
?
答案:
Vr
AC
MW
26:
多选(3分
F
) 金属导体中的载流子是( );半导体中的载流子是( )。
Hi
A 自由电子
ut3y9(be&[J
B 空穴
ub5BN(
C 离子
YER_]pL#^:
D 自由电子和空穴
HrB&cUcsC6H3hN=
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F
F
答案:
=R
AD
BV
27:
多选(3分
M
) 在杂质半导体中,
t
少数载流子的浓度与( )有很大关系,而多数载流子的浓度则主要取决于( )。
DF
A 温度
Op1jAN;q(cX(DR-v
B 掺杂工艺
KYqf6&e$7(grr
C 杂质浓度
ROa7vwX#J1'f7u]E
D 杂质类型
^ngBT?DmKcxiU[
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M
M
答案:
rH
AC
KY
28:
多选(3分
P
) 常用的代数化简方法有( )。
L1
A 并项法
iL/Rf`9uS^XD%+*
B 吸收法
z=IA:OuYB
C 消去法
Xdk(0q;87&u1tbf;
D 配项法
nuC5\01gA/:
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P
P
答案:
\8
ABCD
P\
29:
多选(3分
?
) 在本征半导体中掺入微量的( )价元素,
:
形成P型半导体;掺入微量的( )价元素,
:
形成N型半导体。
Z:
A 二
,`kraqHdNmy1=Rg?F
B 三
w]pt]&XOx
C 四
],)G0AN+R,^@^D%$a
D 五
N8J3kO*.YO7Xe
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?
?
答案:
Vr
BD
MW
30:
多选(3分
F
) 下列各式中属于反演律(摩根定律)的公式是( )。
Hi
A
ut3y9(be&[J
B
ub5BN(
C
YER_]pL#^:
D
HrB&cUcsC6H3hN=
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F
F
答案:
=R
BD
BV
31:
判断(2分
M
) 在P型半导体中,
t
掺入高浓度的五价杂质可以改型为N型半导体。
DF
A 正确
Op1jAN;q(cX(DR-v
B 错误
KYqf6&e$7(grr
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M
M
答案:
oV
B
RC
32:
判断(2分
6
) PN 结可以看作一个电容,
=
空间电荷区相当于介质,
=
P区和N区则为导体。
j,
A 正确
/GCZ4BJmB_ApG=?
B 错误
X[ld:rV9d
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6
6
答案:
ky
A
?1
33:
判断(2分
^
) 逻辑电平0和1不表示具体的数量而是一种逻辑值。
e,
( )
A 正确
cKonDi?CX+dGb
B 错误
o&(l]]?k
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^
^
答案:
cB
A
MN
34:
判断(2分
_
) 触发器次态
与R、S及现态
之间关系的逻辑表达式称为触发器的特性方程。
21
( )
A 正确
]JrpnCrdm
B 错误
c_#a(?TyY
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_
_
答案:
Ir
A
QY
35:
判断(2分
O
) 因为A+AB=A,
E
故若两边同时减A,
E
可得出AB=0。
eH
( )
A 正确
4$K.$mDCN&
B 错误
V7w:Tv+1.a].H
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O
O
答案:
s4
B
DQ
36:
判断(2分
(
) 用2片容量为16K×8的RAM构成容量为32K×8的RAM是位扩展。
iW
( )
A 正确
Kmcs&)L^(Bj
B 错误
ZYDlMs3]
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(
(
答案:
RZ
B
MW
37:
判断(2分
)
) 集成移位寄存器74LS175在CP=1期间具有数据保持功能。
FD
( )
A 正确
TaE1mMK%6^/
B 错误
s=@ph-m`Ls9EnO
做标记
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)
)
答案:
7=
A
I7
38:
判断(2分
D
) 凡是卡诺图中存在相切而不相链(相交)的包围圈(方格群)的逻辑函数都存在着竞争-冒险现象。
m=
( )
A 正确
gv;d2e*nKA@A
B 错误
Cq*BA^hAG[T6M]
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D
D
答案:
DZ
A
PJ
39:
判断(2分
B
) 在达到动态平衡的PN结内,
l
漂移运动和扩散运动都不再进行。
I#
A 正确
HB?%7-`35
B 错误
7Z#SY?aNpM
做标记
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B
B
答案:
Sl
B
G9
40:
判断(2分
N
) 十进制数9比十六进制数9小。
1(
( )
A 正确
[N7=_FZ
B 错误
:9Tw6g&X:s
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N
N
答案:
NL
B
UV
→立即交卷